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AMD et IBM vont utiliser une nouvelle méthode de lithographie et un nouveau matériau pour accroître le nombre de transistors dans les processeurs.
Loi de Moore oblige, les processeurs sont de plus en plus denses. Graver plus fin est donc inévitable. Même si la tâche s'avère de plus en plus complexe à mesure que l'échelle se réduit. AMD et IBM, dont le partenariat est prolongé
jusqu'en 2011, ont déjà amélioré les performances des processeurs en travaillant avec des ' wafers ' SOI (Silicon on Insulator), et aujourd'hui SSOI (strained
SOI, le SOI contraint). Ces techniques figurent désormais en standard dans leurs processus de fabrication.
AMD, IBM et Intel en lice
D'autres sauts technologiques sont néanmoins nécessaires. Notamment en matière de règles de design. Des travaux récents d'AMD et d'IBM portent sur la lithographie en immersion et sur de nouveaux matériaux diélectriques. Ces techniques
devraient améliorer la qualité des processeurs, gravés en 45 nm, en 35 nm, voire en 22 nm pour les futures générations. Elles devraient être industrialisées d'ici à 2008, et intégrées notamment aux procédés de l'usine Fab 36
d'AMD à Dresde (Allemagne).Les deux partenaires ne sont pas seuls dans la course. Un consortium consacré à la lithographie en immersion, regroupant plus de trente sociétés, fabricants de circuits, fournisseurs de semiconducteurs, et éditeurs de logiciels
spécialisés, a créé le laboratoire Imec (Institut belge de recherche en microélectronique) à Louvain. Intel fait partie de l'association, mais ne semble ne pas avoir choisi ce procédé pour ses prochaines générations de processeurs. La lithographie
extrême ultraviolet est une des autres alternatives envisagées.
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