IBM s'essaye à nouveau aux mémoires magnétiques

La division Microelectronics du géant américain vient de signer un partenariat avec TDK. Les deux sociétés vont mettre en commun leurs recherches pour développer des MRAM haute densité.

Avec Infineon, cela n'avait pas marché. Alors, avec TDK, IBM retente sa chance. La société américaine vient en effet de conclure avec son homologue japonais un nouveau partenariat visant au développement de MRAM (Magnetic Random Access Memory).Ces mémoires stockent les données sous la forme de charge magnétique et non pas, comme les mémoires flash ou les DRAM actuelles, sous la forme de charge électrique. Les MRAM réuniraient alors le meilleur des deux technologies : faible consommation d'énergie, vitesse élevée, longévité et non-volatilité (les données restent stockées même sans alimentation).

Des composants chers à produire

Mais ce type de mémoire reste aujourd'hui trop cher à produire. Sa production a bien démarré, en particulier chez Freescale, sans succès massif. Or le partenariat entre IBM et TDK vise, justement, à développer des MRAM haute densité. Les deux sociétés vont mettre en commun leurs recherches sur le sujet dans quatre de leurs centres de recherche américains (deux en Californie, un dans le Vermont et un dans l'Etat de New York). Ni l'une ni l'autre ne s'engagent pour l'instant sur une date de commercialisation massive de MRAM.Le précédent partenariat d'IBM, avec Infineon, a sans doute dû les échauder. En 2003, les sociétés promettaient en effet des MRAM capables de démarrer instantanément un PC dès... 2005. Quatre ans après, la mémoire magnétique reste avant tout un objet de curiosité.