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Accord entre STMicroelectronics et Samsung pour développer la technologie FD-SOI

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PARIS (Dow Jones)--STMicroelectronics (STM.FR) et Samsung Electronics Co (005930.SE) ont annoncé mercredi avoir signé un accord portant sur la technologie FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) en 28 nm dans le cadre d'une collaboration de pr

PARIS (Dow Jones)--STMicroelectronics (STM.FR) et Samsung Electronics Co (005930.SE) ont annoncé mercredi avoir signé un accord portant sur la technologie FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) en 28 nm dans le cadre d'une collaboration de production multi-sources.

PRINCIPAUX POINTS DU COMMUNIQUE:

- Cet accord de licence permet aux clients de bénéficier des solutions de fabrication avancées produites dans les installations de pointe en 300 mm dont dispose Samsung, et assure à l'ensemble de l'industrie une capacité de production en grand volume pour la technologie FD-SOI de ST.

- La technologie FD-SOI en 28 nm permet de réaliser des circuits intégrés plus rapides, plus simples et qui dégagent moins de chaleur, répondant ainsi à la demande permanente en systèmes sur puce plus performants et plus économes en énergie dont les produits électroniques de nouvelle génération ont besoin, notamment les produits mobiles et destinés au grand public.

- La technologie FD-SOI résulte d'une activité de recherche et développement de longue date mené au sein du pôle technologique grenoblois regroupant ST, le CEA-Leti, Soitec (SOI.FR) ainsi que d'autres partenaires.

- Cet accord sur la technologie FD-SOI en 28 nm porte sur la technologie de fabrication ainsi que sur l'écosystème de conception développés par ST. La technologie FD-SOI en 28nm de ST a déjà démontré ses avantages en termes de rapport rapidité/consommation d'énergie et de simplicité, et l'engouement des concepteurs de circuits intégrés à propos de cette technologie continue d'augmenter.

- La technologie FD-SOI en 28 nm sera qualifiée par Samsung pour une production en volume début 2015.

-Dow Jones Newswires; +33 (0)1 40 17 17 75; djbourse.paris@dowjones.com

(END) Dow Jones Newswires

May 14, 2014 12:20 ET (16:20 GMT)

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