Samsung et STMicroelectronics signent un accord stratégique pour étendre l'utilisation de la technologie FD-SOI en technologie 28 nm

Cet accord de fonderie et de licence assure la disponibilité multi-sources de la technologie FD-SOI en 28 nm afin de réaliser des circuits intégrés plus rapides, plus simples et qui dégagent moins de chaleur

Séoul (Corée du Sud) et Genève (Suisse), le 14 mai 2014 - STMicroelectronics, un leader mondial dont les clients couvrent toute la gamme des applications électroniques, et Samsung Electronics Co., Ltd., un leader mondial dans le domaine des semiconducteurs avancés, annoncent ce jour la signature d'un accord global portant sur la technologie FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insulator) en 28 nm dans le cadre d'une collaboration de production multi-sources.

Cet accord de licence permet aux clients de bénéficier des solutions de fabrication avancées produites dans les installations de pointe en 300 mm dont dispose Samsung, et assure à l'ensemble de l'industrie une capacité de production en grand volume pour la technologie FD-SOI de ST. La technologie FD-SOI en 28 nm permet de réaliser des circuits intégrés plus rapides, plus simples et qui dégagent moins de chaleur, répondant ainsi à la demande permanente en systèmes sur puce plus performants et plus économes en énergie dont les produits électroniques de nouvelle génération ont besoin, notamment les produits mobiles et destinés au grand public.

Cet accord sur la technologie FD-SOI en 28 nm porte sur la technologie de fabrication ainsi que sur l'écosystème de conception développés par ST. La technologie FD-SOI en 28nm de ST a déjà démontré ses avantages en termes de rapport rapidité/consommation d'énergie et de simplicité, et l'engouement des concepteurs de circuits intégrés à propos de cette technologie continue d'augmenter. Cet accord complète les moyens de production en 28 nm dont dispose ST sur son site de production en 300 mm à Crolles (près de Grenoble), permettant de proposer une option multi-sources pour les produits réalisés en technologie FD-SOI 28 nm. En outre, les clients pourront bénéficier de l'expérience et des connaissances acquises par Samsung et ST en matière de technologies de production en grands volumes. La technologie FD-SOI en 28 nm sera qualifiée par Samsung pour une production en volume début 2015.

« Capitalisant sur les solides relations nouées par ST et Samsung dans le cadre de l'International Semiconductor Development Alliance (ISDA), cet accord renforce davantage notre coopération en l'étendant à la technologie FD-SOI en 28 nm, tout en élargissant l'écosystème et en augmentant la capacité de production pour ST, mais également pour l'ensemble de l'industrie électronique. De plus, cet accord confirme et renforce la dynamique commerciale que connaît cette technologie depuis plusieurs trimestres auprès de nombreux clients à travers les projets engagés au sein de notre activité dédiée aux solutions de traitement embarquées », a déclaré Jean-Marc Chery, directeur général (COO) de STMicroelectronics. « Nous prévoyons l'élargissement de l'écosystème FD-SOI en 28 nm avec les principaux fournisseurs d'outils de CAO électronique (EDA) et de propriété intellectuelle (IP), ce qui enrichira le catalogue d'IP mis à la disposition de la filière FD-SOI en 28 nm. »

« Nous nous réjouissons d'annoncer cette collaboration avec ST pour la technologie FD-SOI en 28 nm. C'est une solution idéale pour les clients qui souhaitent accroître les performances et le rendement énergétique en 28 nm sans être obligés de migrer vers le 20 nm », a ajouté le Dr Seh-Woong Jeong, vice-président exécutif System LSI Business de Samsung Electronics. « Le 28 nm est une technologie de fabrication très efficace dont la durée de vie sera longue en utilisant des moyens de production bien établis. En ajoutant le FD-SOI à notre portefeuille de technologies, Samsung propose une gamme complète de solutions de fabrication en 28 nm qui contribueront au succès de nos clients. »

Complément d'information technique

La technologie FD-SOI résulte d'une activité de recherche et développement de longue date mené au sein du pôle technologique grenoblois regroupant ST, le CEA-Leti, Soitec ainsi que d'autres partenaires. Elle convient tout particulièrement aux marchés qui exigent un rendement énergétique et des performances optimum, alliés à des coûts globaux maitrisés. Cette technologie de fabrication de semiconducteurs prolonge efficacement la Loi de Moore[1] en permettant de faire évoluer la technologie planaire traditionnellement utilisée pour fabriquer des semiconducteurs. Contrairement à d'autres filières de fabrication, la technologie FD-SOI bénéficie de la continuité des flux de conception existants, et est prise en charge par un large éventail de logiciels de CAO électronique (EDA) et d'équipements de production déjà installés. Plus particulièrement, la technologie FD-SOI de ST[2] assure un équilibre optimum entre des performances plus rapides et des températures opérationnelles moins élevées, tout en assurant la pérennité des investissements déjà consacrés aux outils et équipements de production. Outre l'exploitation des flux de conception et du matériel de production existants, cette technologie réduit de façon significative la complexité des processus de production.

À propos de Samsung Electronics Co., Ltd.

Samsung Electronics Co., Ltd, un leader mondial des technologies, crée de nouvelles possibilités pour tous. Grâce à une volonté d'innovation permanente, Samsung réinvente le monde de la télévision, des smartphones, des ordinateurs, des imprimantes, de la photo, de l'électroménager, des systèmes LTE, des appareils médicaux, des semi-conducteurs et des solutions LED. Samsung emploie 286 000 collaborateurs dans 80 pays, et réalise un chiffre d'affaires annuel de 216,7 milliards de dollars. Pour en savoir plus, rendez-vous sur www.samsung.com.

Note à l'attention des rédacteurs : L'activité fonderie de Samsung Electronics a pour mission d'aider les fabricants fabless (sans usine de production de semi-conducteurs) et IDM (Integrated Device Manufacturer) à proposer des solutions et des services complets, depuis les kits de conception et les blocs de propriété intellectuelle éprouvés jusqu'à des moyens de fabrication clé en main pour leur permettre de s'imposer sur le marché avec des circuits intégrés de conception avancée. Pour plus d'information, visitez le site www.samsung.com/Foundry.

À propos de STMicroelectronics

ST est un leader mondial sur le marché des semiconducteurs, dont les clients couvrent toute la gamme des technologies Sense & Power, les produits pour l'automobile et les solutions de traitement embarquées. De la gestion de la consommation aux économies d'énergie, de la confidentialité à la sécurité des données, de la santé et du bien-être aux appareils grand public intelligents, ST est présent partout où la technologie microélectronique apporte une contribution positive et novatrice à la vie quotidienne. ST est au coeur des applications professionnelles et de divertissements à la maison, au bureau et en voiture. Par l'utilisation croissante de la technologie qui permet de mieux profiter de la vie, ST est synonyme de « life.augmented ».

En 2013, ST a réalisé un chiffre d'affaires net de 8,08 milliards de dollars. Des informations complémentaires sont disponibles sur le site : www.st.com

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RELATIONS PRESSE 

Lisa Warren-Plungy

Samsung Semiconductor
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[1] Dans un article publié par Electronics Magazine en 1965 sous le titre "Cramming more components onto integrated circuits, Gordon E. Moore déclare que le nombre de transistors que l'on trouve dans un circuit intégré double environ tous les deux ans.
[2] ST a développé et commercialisé le FD-SOI Ultra-Thin Buried oxide (UTBB), dont les avantages sont présentés en détail dans un article publié en 2012 par Thomas Skotnicki, Franck Arnaud et Olivier Faynot.

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[HUG#1785299]

FDSOI ST et Samsung

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