Toshiba développe le contrôleur de périphérique le plus rapide au monde pour modules de mémoire flash NAND intégrés conforme à la norme JEDEC UFS Ver.2.0
Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) a annoncé aujourd'hui le développement du contrôleur de périphérique le plus rapide au monde pour modules de mémoire flash NAND intégrés conformes aux normes Universal Flash Storage (UFS) Ver.2.0 et UFS Unified Memory Extension (UME) Ver.1.0 définies par la JEDEC Solid State Technology Association (JEDEC). Un module de mémoire flash NAND intégré incorporant le contrôleur réalise une performance de lecture aléatoire environ 10 fois plus rapidement que les modules conformes à la norme e•MMCTM [1] largement utilisés aujourd'hui dans les périphériques mobiles bas à haut de gamme . Le contrôleur de périphérique assure une performance équivalente à celle des disques SSD (Solid State Drives) pour les ordinateurs personnels dans un boîtier aussi petit qu'un ongle.
Toshiba a présenté le nouveau contrôleur de périphérique à l'IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 2014 qui s'est tenue à San Francisco, en Californie, le 12 février.
Les avances récentes en puissance de traitement CPU et capacité DRAM dans les smartphones et tablettes permettent aux utilisateurs d'apprécier des applications plus puissantes, y compris des lecteurs vidéo haute résolution et des jeux riches en fonctionnalités. Ces périphériques requièrent également des modules de mémoire flash NAND intégrés comme stockage non volatile principal. À l'avenir, la performance accrue d'une mémoire flash NAND intégrée conforme à la norme UFS assurera son utilisation étendue dans les appareils mobiles haut de gamme.
Les modules de mémoire flash NAND intégrés actuels sont de plus en plus incapables de stocker toutes les données requises pour exécuter les commandes reçues de l'hôte dans la mémoire RAM sur puce de leurs contrôleurs de périphérique, largement en raison de sa taille croissante ; les contrôleurs de périphérique doivent exécuter de multiples lectures des données de commande depuis la mémoire flash NAND, ce qui ralentit l'exécution des commandes. Il en résulte une demande croissante pour une performance de lecture aléatoire et une expérience utilisateur améliorées. Il est toutefois difficile d'obtenir un peu plus qu'une amélioration incrémentale de la performance de lecture aléatoire, car il faut des dizaines de microsecondes pour lire des données d'une mémoire flash NAND.
Toshiba a développé un nouveau contrôleur de périphérique pour modules de mémoire flash NAND intégrés dans le but de surmonter ces problèmes.
Ce nouveau contrôleur de périphérique stocke des données pour exécuter une commande reçue de l'hôte dans la DRAM du côté hôte, réduisant ainsi le nombre d'opérations de lecture depuis la mémoire flash NAND. Ceci réduit de moitié le temps requis pour traiter une commande de lecture. La procédure par laquelle le contrôleur de périphérique écrit des données sur la DRAM côté hôte et lit des données depuis la DRAM côté hôte est conforme à la norme UFS UME Ver.1.0, qui a été publiée en même temps que la norme UFS Ver.2.0.
Toshiba a également développé un moteur matériel qui exécute les commandes de lecture provenant de l'hôte en parallèle et l'a intégré au nouveau contrôleur de périphérique. Il assure une performance de lecture aléatoire plus de deux fois supérieure à la technologie conventionnelle.
Ces deux nouvelles technologies Toshiba ont réalisé des modules de mémoire flash NAND intégrés avec un contrôleur de périphérique atteignant plus de 60 kIOPS[2] dans une performance de lecture aléatoire d'accès 4 KB [3]. Ce niveau de performance est environ 10 fois supérieur à celui des modules conformes à la e•MMC Version 5.0.
Le nouveau contrôleur de périphérique intègre également une nouvelle technologie de circuit analogique conçue par Toshiba qui valide une communication sérielle à ultra-grande vitesse de l'UFS à 5,8 Gbits/s par voie, ce qui évite une augmentation de la consommation de puissance.
Les appareils mobiles comportant un module de mémoire flash NAND intégré utilisant le nouveau contrôleur de périphérique offriront des performances de lecture aléatoire accrues qui amélioreront le temps de réponse dans les interactions des utilisateurs et des temps de démarrage d'application réduits, optimisant ainsi l'expérience globale de l'utilisateur.
L'expédition d'échantillons de modules de mémoire flash NAND intégrés avec le nouveau contrôleur de périphérique devrait commencer au premier semestre de l'année civile 2014.
Notes
[1] e•MMCTM est une marque de commerce et une catégorie de produit pour une classe de produits de mémoire intégrée conçus selon la spécification de la norme JEDEC e•MMCTM.
[2] Entrée / sortie par seconde, nombre de commandes à compléter en 1 seconde.
[3] Les conditions sont les suivantes ; le nombre de puces de mémoire flash NAND est de 8, la taille de la région d'accès est de 8 Go , et la latence de l'hôte est de 1 microseconde.
À propos de Toshiba
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