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Toshiba développe une SRAM (XLL SRAM) à fuites eXtrêmement faibles, qui permet au MCU à puissance plus faible de passer en réactivation rapide à partir d’un mode de veille prolongée

Mis à jour le

Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) a annoncé aujourd'hui le développement de la solution SRAM (XLL SRAM) à fuites eXtrêmement faibles de 65 nm adaptée à la mémoire RAM de sauvegarde dans un MCU à faible puissanc

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