Toshiba va développer son nouveau modèle de réseau de transistors utilisant la technologie du tout dernier processus

Développement de la gamme de réseaux de transistors très performants en adoptant les DMOS FET [1] pour le circuit d’attaque de sortie

Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) a annoncé aujourd’hui le développement du modèle TB62xxxA de transistors BiCD[2] pour succéder à son modèle TD62xxxA de transistors bipolaires qui étaient utilisés dans un large éventail d’applications, notamment les moteurs, les relais et les commandes par LED. Le modèle de nouvelle génération est équipé d’un circuit d’attaque de sortie de type DMOS FET développé avec la technologie du tout dernier processus BiCD. Les envois d’échantillons et la production de masse sont prévus en juin 2015.

Les nouveaux produits assureront une commutation et une réduction plus rapide du courant d’entrée par rapport aux réseaux de transistors bipolaires actuels et contribueront à une puissance au rendement amélioré.

Toshiba produit des réseaux de transistors bipolaires depuis plus de 40 ans, et le modèle TD62xxx à moyenne tension (environ 50 V) se décline actuellement en une gamme de plus de 100 dispositifs. Devant la croissance récente de la demande pour les transistors de type MOSFET au lieu des transistors bipolaires, Toshiba a décidé de lancer le développement d’un réseau de transistors utilisant le processus BiCD, une technologie qui devrait imposer sa norme à l’avenir.

Toshiba a démarré le développement du produit ce mois-ci et engagera les envois d’échantillons et la production de masse du TB62003A, le successeur du TD62003A actuel, qui sera le premier produit de la gamme dès juin 2015. La société prévoit par la suite de lancer deux produits du nouveau modèle TB62xxxA tous les six mois, pour constituer une gamme d’une douzaine de produits.

Fonctionnalités clés des nouveaux modèles

• Technologie du process : BiCD 130 nm (la technologie du tout dernier processus BiCD de Toshiba)
• Tension de maintien ：50 V, identique à celles des transistors bipolaires actuels
• Boîtier : Le même boîtier aura la même distribution des broches que les réseaux de transistors bipolaires actuels
• Courant de sortie : 500 mA（pour le modèle TB62003A : identique aux produits actuels）
• Fonction : Identique à celle des produits actuels
• Nom du produit : le « modèle TB62xxxA » remplace le « modèle « TD62xxxA » » actuel (les règles de désignation seront également modifiées)

[1] : MOSFET à double diffusion
[2] : Technologie de process permettant l’intégration des dispositifs bipolaires CMOS et DMOS

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À propos de Toshiba

Toshiba Corporation, une société de Fortune Global 500, canalise dans cinq domaines d’affaires stratégiques ses capacités de niveau mondial en produits et systèmes électroniques et électriques de pointe : Énergie et infrastructure, solutions à l’intention de la collectivité, systèmes et services de soins de santé, appareils et composants électroniques, et enfin produits et services « mode de vie ». Guidée par les principes de l’engagement de base du groupe Toshiba, « Engagés envers la population, engagés envers l’avenir », Toshiba promeut des opérations mondiales visant à assurer « La croissance à travers la créativité et l’innovation » et contribue à la création d’un monde où les gens, en tout lieu, vivent dans une société sûre, sécurisée et confortable.

Fondée à Tokyo en 1875, Toshiba se situe aujourd’hui au cœur d’un réseau mondial de plus de 590 sociétés consolidées, employant plus de 200 000 personnes à travers le monde, avec des ventes annuelles dépassant les 6,5 billions de yens (63 milliards USD).
Pour en savoir plus sur Toshiba, rendez-vous sur le site www.toshiba.co.jp/index.htm

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